hynix海力士(hynix目标价)

今日热点

1. SK海力士并购Key Foundry获韩国点头，并传将通过财团收购Arm

2. 美光看好NAND Flash Q3涨价力道

3. NAND Flash Q2提前翻涨

4. 晶豪科看好Q2利基型DRAM、NOR价格上涨

5. 铠侠推出面向汽车应用的UFS 3.1嵌入式闪存

01SK海力士并购Key Foundry获韩国点头，并传将通过财团收购Arm

据台媒《中时新闻网》消息，韩国政府30日宣布，同意当地第2大半导体业者SK海力士，日前所送审的与Key Foundry合并一案。

2021年10月，SK海力士以5758亿韩元，约4.75亿美元价格，买断这家8吋晶圆代工业者所有股份，藉此希望能增加非存储业务的市占率。

Key Foundry主要产品有电源管理IC，显示驱动IC和微控制器等半导体产品。之前，SK海力士通过SK hynix system IC来处理晶圆代工事业，这家SK海力士子公司的产能与Key Foundry不相上下。

韩国政府声称，因双方业务重叠的市占率在当地为5%左右，在全球来说更只有1%。这桩收购案无碍市场竞争，故准以合并。

SK海力士素以存储产品见长，所以非存储以及晶圆代工事业，仅约占总营收2%。产业预估，SK海力士这次吃下Key Foundry，代工产能至少能多出1倍左右。

此桩半导体合并案韩国政府已点头，但尚须包括中国等其它主要国家，看是否涉及反垄断不公平竞争后，才能算大功告成。

闪德君插一句话：虽然今日的内容显示多方看好存储市场Q2和Q3的行情，不过需要指出的是，限于需求面的疲软，3月以来的存储市场行情都不太理想，Q2、Q3或许看涨，但至少在当下，行情是不那么乐观的，业界朋友们可能需要注意一下这一点……好吧，在这个基础上，大家再看以下消息吧。

02美光看好NAND Flash Q3涨价力道

美光第二季DRAM营收年增29%，占总营收比重达73%；NAND营收年增19%，营收占比25%，营收均优于市场预期。其中，DRAM均价较前季下滑约4-6%，NAND则成长4-6%，并看好本季两大存储毛利率都将持续提升。

03NAND Flash Q2提前翻涨

在消费型固态硬盘（Client SSD）方面，受俄乌战争影响，引发PC OEM厂对第二季的订单采保守备货策略，且可能持续影响下半年旺季订单情形，进而下修今年的出货目标。而SSD产出今年正式走出半导体晶圆吃紧阴霾，随着铠侠产能陆续在5月恢复供应SSD产品，原厂产能仍大致满足客户需求下，采取较积极定价策略，预估第二季价格涨幅将较原先预期收敛至3~8%。

在企业用固态硬盘（Enterprise SSD）方面，随着服务器及超大规模（Hyperscale）数据中心采购容量及订单增加，但铠侠与西数的企业用SSD产品出货受污染事件而导致交期延长，而客户早在第一时间转向三星及Solidigm寻求供应，PCIe 4.0产品供应受限，故原厂采取强硬议价的态势，推动第二季企业用SSD价格上涨5~10%。

eMMC部分，包含电视、Chromebook及平板等消费性产品需求持续疲弱，使得中低容量的eMMC产品需求保持低档。尽管主要供给低容量的2D NAND产出并未受到原料污染影响，但仍改变了整体市场议价氛围，再加上供应商缓步减少2D NAND产能的规划未变，故供应商为维持获利也欲调涨容量相对较低的eMMC产品价格，预估第二季eMMC合约价上涨3~8%。

UFS部分，受俄乌战争、高通膨等冲击，影响最主要的应用如智能手机需求疲弱。同样受原物料污染影响，3D NAND的总产出明显下修，对于采用容量较大、使用层数较高的UFS产品供给下修程度远比需求面更显著，预估第二季UFS价格仍会上涨约3~8%。

在NAND Flash晶圆（wafer）部分，尽管移动硬盘、存储卡在内的产品需求疲弱，但该类产品供给的优先顺序本就较低，故原料污染严重影响NAND Flash晶圆供给，预估第二季价格将上涨5~10%。

04晶豪科看好Q2利基型DRAM、NOR价格上涨

晶豪科指出，受长短料因素影响，前两月客户还在进行库存调整，不过，3月以来随着逻辑主芯片供给吃紧情况舒缓，客户对记忆体需求动能已明显回温，看好第一季获利仍将优于去年同期，毛利率也将站稳高档水平。

晶豪科认为，后续须观察俄乌战争、通膨等因素，是否会对终端需求造成影响，但目前从各应用来看，客户端需求都相当不错，没有看到因大环境因素而出现放缓的情况。

05铠侠推出面向汽车应用的UFS 3.1嵌入式闪存

铠侠今（31）日宣布，已经开始取样新型汽车UFS 3.1嵌入式闪存。新产品线采用该公司的BiCS FLASH ™ 3D闪存，容量从64GB到512GB不等，以支持不断发展的汽车应用的各种要求，从而提升驾驶员体验。

新产品支持-40°C到105°C的宽温范围，符合AEC标准以及Q100 2级要求，提高日益复杂的汽车应用所需的可靠性。

与上第一代设备相比，汽车用UFS 3.1嵌入式闪存的顺序读写性能分别提高了约2.2倍和6倍。这些性能提升有助于加快系统启动速度和OTA更新速度。